比特派更新 三星 1.4nm 工艺细节初度曝光，纳米片数目加多到 4 个

IT之家 11 月 1 日讯息，凭证 DigiTimes 报谈比特派更新，Samsung Foundry 副总裁 Jeong Gi-Tae 流露，三星行将推出 SF1.4（1.4 nm）工艺中，纳米片（nanosheets）的数目从 3 个加多到 4 个，有望显著改善性能和功耗。

三星正在寻求扩大其在 Gate-All-Around (GAA) 平台方面的跨越地位，在推出基于 GAA 的 SF3E 之后，谋略 2027 年上线 SF1.4（1.4nm）工艺，通过加多纳米片数目进一步改善工艺。

定义：红球第三位，大于14为高位号比特派更新，小于15为低位号。

每个晶体管加多纳米片数目，不错增强驱动电流，从而普及性能，更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，从而增强其开关本事和脱手速率。

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此外，更多的纳米片不错更好地端正电流，这有助于减少走电流，从而缩小功耗。此外，改换的电流端正还意味着晶体管产生的热量更少比特派更新，从而普及了功率后果。

IT之家此前报谈，三星还谋略在 1.4nm 工艺中吸收背部供电（BSPDN）工夫，旨在更好地挖掘晶圆后头空间的后劲，但于今仍未在人人边界内引申。

诚然当今半导体行业已不再使用栅极长度和金属半节距来为工夫节点进行系统定名，但毫无疑问当今的工艺工夫亦然数字越小越先进。

跟着半导体工艺微缩阶梯不息地上前发展，集成电路内电路与电路间的距离也不息缩窄，从而对彼此产生搅扰，而 BSPDN 工夫则不错克服这一截止，这是因为咱们不错运用晶圆后头来构建供电阶梯，以分隔电路和电源空间。

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《三星谋略 2027 年让 1.4nm 工艺用上 BSPDN 背部供电工夫》

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